sábado, 5 de diciembre de 2009

NANOALAMBRES DE SILICON


NANOALAMBRES DE SILICON… PRÒXIMOS A ABRIR EL CAMINO HACIA CHIPS Y PROCESADORES MÀS PEQUEÑOS.



Por:  Patricio Gonzàlez Quintanilla.   patgq52@gmail.com


Conforme se desarrollan las primeras tècnicas de manufactura de estos nuevos elementos de transmisión de información, los nanoalambres de silicòn abren el camino para reducir aùn màs los dispositivos electrònicos elaborados con materiales y mètodos por asì decirlo “convencionales”, sin entrar en terrenos de nuevas tecnologías tambièn en desarrollo, como pueden ser las computadoras cuànticas ò de DNA.


Investigaciones realizadas en la Universidad Estatal de Carolina del Norte (NCSU) han demostrado que el empleo de estos nanoalambres refuerzan la permanencia del Silicon como el material preferido para la manufactura de chips en el futuro, dado el amplio uso que ha tenido a lo largo del tiempo y la flexibilidad que presenta para combinarse con otros elementos. Utilizando un proceso comùn de síntesis de vapor-lìquido-sòlido, los investigadores estàn evaluando las propiedades fìsicas y propiedades de los nanoalambres, como son su capacidad de deformación y de ruptura.


Otro reto se presenta en fabricar estos materiales con capas perfectamente definidas de los semiconductores involucrados, tales como la de silicio-germanio, de tal manera que sean funcionales como transistores.


Paralelamente al equipo de NCSU, un equipo conformado por cientìficos de la IBM y de las Universidades de Pardue y de California (Los Angeles), lograron la manufactura simplificada de nanoalambres de Silicio-Germanio en base a un proceso de vaporizaciòn que involucra el empleo de una aleación de Oro-Aluminio para condensar los gases de silicio y luego del germanio, produciendo alambres con capas perfectamente definidas, en una “heteroestructura” de nivel molecular.


Por otra parte y a diferencia del procedimiento tradicional de fabricación de los transistores, que se extienden sobre placas planas de Silicon, los nanoalambres son crecidos verticalmente en las mismas. La estructura vertical de los nanoalambres tiene una huella (footprint) menor en la placa, permitiendo un mayor nùmero de transistores por unidad de àrea.


Este equipo trabaja ahora en desarollar un proceso de fabicaciòn que contenga estàndares especìficos de medidas de los nanoalambres, antes de hacer viable su industrialización.


Fuentes: NCSU; PU-Birck Nanotechnology Center; PGQ-XII-2009.


 


 


 


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